Anasayfa
TRANSİSTÖR
Discrete Transistör
BU406 TO-220 10A 400V NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BU406 TO-220 10A 400V NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BU406 TO-220 10A 400V NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BU406 TO-220 10A 400V NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

₺42,24 + KDV

11 Adet Stokta var, şimdi sipariş ver hemen kargoda

Kategori

Discrete Transistör

Stok Kodu

TR0291

Fiyat

42,24 TL + KDV

*4,71 TL den başlayan taksitlerle!

Karşılaştır

BU406

Type Designator: BU406

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 60 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 400 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 200 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 10 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 5 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10

Noise Figure, dB: -

Package: TOP66

Taksit Seçenekleri

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Ürün hakkında henüz soru sorulmamış.

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Ürün Bilgisi

BU406

Type Designator: BU406

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 60 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 400 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 200 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 6 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 10 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Transition Frequency (ft): 5 MHz

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 10

Noise Figure, dB: -

Package: TOP66

BU406 TO-220 10A 400V NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

BU406 TO-220 10A 400V NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

₺42 + KDV