Product Attribute	Attribute Value
Manufacturer:	onsemi
Product Category:	IGBT Transistors
RoHS:	Details
Technology:	Si
Package/Case:	TO-3PN
Mounting Style:	Through Hole
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.14 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	30 V
Continuous Collector Current at 25 C:	100 A
Pd - Power Dissipation:	319 W
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 175 C
Series:	FGA50T65SHD
Packaging:	Tube
Brand:	onsemi / Fairchild

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Yorum Yaz

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Etiketler :

fga50t65shd fga50t65shd datasheet 50n65 50n65s1 50n65 igbt 50n65fl2 datasheet 50n65 pdf transistor 50n65s1

FGA50T65SHD TO-3P 50A 600V 319W IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et