Product Attribute	Attribute Value
Manufacturer:	onsemi
Product Category:	IGBT Transistors
RoHS:	Details
Technology:	Si
Package/Case:	TO-264-3
Mounting Style:	Through Hole
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	1000 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage:	25 V
Continuous Collector Current at 25 C:	60 A
Pd - Power Dissipation:	180 W
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Series:	FGL60N100BNTD
Packaging:	Tube
Brand:	onsemi / Fairchild

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Yorum Yaz

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Etiketler :

fgl60n100bntd fgl60n100bntdtu fgl60n100bntd datasheet fgl60n100bntd datasheet pdf fgl60n100bntd pdf igbt fgl60n100bntd 60n100 60n100 igbt 60n100 mosfet

FGL60N100BNTD - (G60N100BNTD) TO-264 60A 100V 180W IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et