Anasayfa
TRANSİSTÖR
IGBT Transistör
GT50JR22 TO-3P 600V 50A 230W N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

GT50JR22 TO-3P 600V 50A 230W N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

GT50JR22 TO-3P 600V 50A 230W N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

GT50JR22 TO-3P 600V 50A 230W N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

₺226,28 + KDV

2 Adet Stokta var, şimdi sipariş ver hemen kargoda

Kategori

IGBT Transistör

Stok Kodu

TR3816

Fiyat

226,28 TL + KDV

*25,25 TL den başlayan taksitlerle!

Karşılaştır

GT50JR22

Type Designator: GT50JR22

Marking Code: 50JR22

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 230

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.2

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 25

Maximum Collector Current |Ic|, A: 50

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 175

Rise Time, nS: 180

Package: TO-3PN

Taksit Seçenekleri

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Ürün hakkında henüz soru sorulmamış.

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Ürün Bilgisi

GT50JR22

Type Designator: GT50JR22

Marking Code: 50JR22

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 230

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.2

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 25

Maximum Collector Current |Ic|, A: 50

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 175

Rise Time, nS: 180

Package: TO-3PN

Etiketler :

gt50jr22 gt50jr22 datasheet gt50jr22 pdf datasheet

GT50JR22 TO-3P 600V 50A 230W N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

GT50JR22 TO-3P 600V 50A 230W N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

₺226 + KDV