GT60M303 TO-264 900V 60A N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

GT60M303 TO-264 900V 60A N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

TOSHIBA
0 - Yorum
Kategori
IGBT Transistör
Kalan Adet
80 Adet
Fiyat
12,50 USD + KDV
*58,54 TL den başlayan taksitlerle!
629,63 TL
Paylaş :
Ürün Bilgisi

GT60M303

Type Designator: GT60M303

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 900

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2.7

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 15

Maximum Collector Current |Ic|, A: 60

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 400

Package: TO264

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Yorum Yaz
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
GT60M303 TO-264 900V 60A N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR GT60M303 60A 900V TO264 SILICON N CHANNEL IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR GT60M303 60A 900V TO264 SILICON N CHANNEL IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR-U-3
GT60M303 TO-264 900V 60A N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.