GT60N321 TO-3PL 60A 1000V IGBT TRANSISTOR

0 - Yorum
Kalan Adet
6 Adet
Fiyat
6,70 USD + KDV
*29,25 TL den başlayan taksitlerle!
314,63 TL
GT60N321 TO-3PL 60A 1000V IGBT TRANSISTOR

GT60N321

Type Designator: GT60N321

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 170

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 1000

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 1.6

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 25

Maximum Collector Current |Ic|, A: 60

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 230

Package: 2-21F2C

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!
Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.
GT60N321 TO-3PL 60A 1000V IGBT TRANSISTOR GT60N321, 60N321, GT60N321(Q) TO3PL 1000V 60A N-Channel IGBT Gate Bipolar Transistor-TOSHIBA GT60N321, 60N321, GT60N321(Q) TO3PL 1000V 60A N-Channel IGBT Gate Bipolar Transistor-TOSHIBA
GT60N321        TO-3PL        60A 1000V       IGBT TRANSISTOR

Tavsiye Et

*
*
*
IdeaSoft® | Akıllı E-Ticaret paketleri ile hazırlanmıştır.