Anasayfa
TRANSİSTÖR
Mosfet Transistör
HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

₺337,16 + KDV

71 Adet Stokta var, şimdi sipariş ver hemen kargoda

Kategori

Mosfet Transistör

Stok Kodu

TR3958

Fiyat

337,16 TL + KDV

*37,62 TL den başlayan taksitlerle!

Karşılaştır

HGTG20N60B3

Type Designator: HGTG20N60B3

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 165

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20

Maximum Collector Current |Ic|, A: 40

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 25

Package: TO247

Taksit Seçenekleri

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Ürün hakkında henüz soru sorulmamış.

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Ürün Bilgisi

HGTG20N60B3

Type Designator: HGTG20N60B3

Type of IGBT Channel: N-Channel

Maximum Power Dissipation (Pc), W: 165

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|, V: 600

Collector-Emitter saturation Voltage |Vcesat|, V: 2

Maximum Gate-Emitter Voltage |Veg|, V: 20

Maximum Collector Current |Ic|, A: 40

Maximum Junction Temperature (Tj), °C: 150

Rise Time, nS: 25

Package: TO247

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

₺337 + KDV