Anasayfa
TRANSİSTÖR
Mosfet Transistör
IPD60R2K1CE TO252 2.3A 600V MOSFET

IPD60R2K1CE TO252 2.3A 600V MOSFET

IPD60R2K1CE TO252 2.3A 600V MOSFET

IPD60R2K1CE TO252 2.3A 600V MOSFET

₺64,66 + KDV

80 Adet Stokta var, şimdi sipariş ver hemen kargoda

Kategori

Mosfet Transistör

Stok Kodu

TR4176

Fiyat

64,66 TL + KDV

*7,21 TL den başlayan taksitlerle!

Karşılaştır

IPD60R2K1CE

Type Designator: IPD60R2K1CE

Marking Code: 6R2K1CE

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 22 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3.5 V

Maximum Drain Current |Id|: 2.3 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Rise Time (tr): 7 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 12 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 2.1 Ohm

Package: TO-252

Taksit Seçenekleri

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Ürün hakkında henüz soru sorulmamış.

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Ürün Bilgisi

IPD60R2K1CE

Type Designator: IPD60R2K1CE

Marking Code: 6R2K1CE

Type of Transistor: MOSFET

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 22 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 600 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 20 V

Maximum Gate-Threshold Voltage |Vgs(th)|: 3.5 V

Maximum Drain Current |Id|: 2.3 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Rise Time (tr): 7 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 12 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 2.1 Ohm

Package: TO-252

IPD60R2K1CE TO252 2.3A 600V MOSFET

IPD60R2K1CE TO252 2.3A 600V MOSFET

₺65 + KDV