Anasayfa
TRANSİSTÖR
Mosfet Transistör
SI9945BDY-T1-GE3 SOIC-8 60V 5.3A 3.1W N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

SI9945BDY-T1-GE3 SOIC-8 60V 5.3A 3.1W N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

SI9945BDY-T1-GE3 SOIC-8 60V 5.3A 3.1W N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

₺58,62 + KDV

29 Adet Stokta var, şimdi sipariş ver hemen kargoda

Kategori

Mosfet Transistör

Marka

VISHAY

Stok Kodu

TR3519

Fiyat

58,62 TL + KDV

*6,54 TL den başlayan taksitlerle!

Sepete Ekle

Hemen Al

Yorum Yaz

Karşılaştır

Ürün Bilgisi

SI9945BDY SOIC-8 60V 5.3A 3.1W N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

Product Attribute	Attribute Value
Manufacturer:	Vishay
Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details
Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	SOIC-8
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id - Continuous Drain Current:	5.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	58 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Qg - Gate Charge:	13 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	3.1 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	TrenchFET
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Brand:	Vishay Semiconductors

Taksit Seçenekleri

Yorumlar (0)

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Yorum Yaz

Soru & Cevap

Ürün hakkında henüz soru sorulmamış.

Soru Sor

Önerileriniz

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Ürün Bilgisi

SI9945BDY SOIC-8 60V 5.3A 3.1W N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

Product Attribute	Attribute Value
Manufacturer:	Vishay
Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details
Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	SOIC-8
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id - Continuous Drain Current:	5.3 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	58 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Qg - Gate Charge:	13 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	3.1 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	TrenchFET
Packaging:	Reel
Packaging:	Cut Tape
Packaging:	MouseReel
Brand:	Vishay Semiconductors

SI9945BDY-T1-GE3 SOIC-8 60V 5.3A 3.1W N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

₺59 + KDV

SI9945BDY-T1-GE3 SOIC-8 60V 5.3A 3.1W N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

Ürün Bilgisi

SI9945BDY-T1-GE3 SOIC-8 60V 5.3A 3.1W N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR

Tavsiye Et