Anasayfa
TRANSİSTÖR
Mosfet Transistör
TK100E08N1 TO-220 100A 80V 225W 0.0032OHM N-CHANNEL MOSFET

TK100E08N1 TO-220 100A 80V 225W 0.0032OHM N-CHANNEL MOSFET

₺110,53 + KDV

300 Adet Stokta var, şimdi sipariş ver hemen kargoda

Kategori

Mosfet Transistör

Stok Kodu

TR0526

Fiyat

2,50 USD + KDV

*12,33 TL den başlayan taksitlerle!

Sepete Ekle

Hemen Al

Yorum Yaz

Karşılaştır

Ürün Bilgisi

TK100E08N1 TO-220 100A 80V 225W 0.0032OHM N-CHANNEL MOSFET

Product Attribute	Attribute Value
Manufacturer:	Toshiba
Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details
Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V
Id - Continuous Drain Current:	214 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg - Gate Charge:	130 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	255 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	U-MOSVIII-H
Series:	TK100E08N1
Packaging:	Tube
Brand:	Toshiba

Taksit Seçenekleri

Yorumlar (0)

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Yorum Yaz

Soru & Cevap

Ürün hakkında henüz soru sorulmamış.

Soru Sor

Önerileriniz

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

Ürün Bilgisi

TK100E08N1 TO-220 100A 80V 225W 0.0032OHM N-CHANNEL MOSFET

Product Attribute	Attribute Value
Manufacturer:	Toshiba
Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details
Technology:	Si
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	80 V
Id - Continuous Drain Current:	214 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	3.2 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg - Gate Charge:	130 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	255 W
Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	U-MOSVIII-H
Series:	TK100E08N1
Packaging:	Tube
Brand:	Toshiba

Etiketler :

tk100e08n1 tk100e08n1 pdf datasheet tk100e08n1 datasheet

TK100E08N1 TO-220 100A 80V 225W 0.0032OHM N-CHANNEL MOSFET

₺111 + KDV

TK100E08N1 TO-220 100A 80V 225W 0.0032OHM N-CHANNEL MOSFET

Ürün Bilgisi

TK100E08N1 TO-220 100A 80V 225W 0.0032OHM N-CHANNEL MOSFET

Tavsiye Et